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HXY MOSFET(华轩阳电子)
HXY MOSFET(华轩阳电子)是一家高效、高功率密度、高性能功率器件的制造商，主要生产二极管三极管、瞬态静电抑制场效应MOS管，用于电池管理、电源管理、电机控制、数码产品和家用电器。是一家专注于MOSFET/ESD的产生和研发的原创功率器件制造商。经过多年的积累，它拥有丰富的电源设备产品和咨询销售团队，可以在一分钟内推荐适合您的产品。进口品牌非常昂贵，我们会更换它们。它擅长的是进口替代。它帮助许多客户更换了进口设备，最多可以帮助客户将电源设备的成本降低50%。我们坚信，产品电源是制胜的法宝。我们将继续开发能耗更低、功率更高、尺寸更小、更贴近客户需求的产品。
型号/品牌
单价（含税价）
库存
数量
封装：
SOT-23(TO-236)
分类：
场效应管(MOSFET)
描述：
PMV16XNR 场效应管(MOSFET) HXY MOSFET(华轩阳电子) SOT-23(TO-236) 20V 6.8A 510mW;6.94W 20mΩ@4.5V,6.8A 900mV@250uA N沟道 1.24nF@10V 20.2nC@4.5V55℃~+150℃@(Tj)
1+
￥0.8957
200+
￥0.6185
库存：
1056
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16+
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3000
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3000
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1+
￥3.1395
50+
￥2.4255
500+
￥2.016
库存：
0
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0+
最小起订量：
500
增量：
500
封装：
DO-214AA
分类：
瞬态抑制二极管(TVS)
描述：
SMBJ16CA 瞬态抑制二极管(TVS) HXY MOSFET(华轩阳电子) DO-214AA 1uA 23.1A 600W 26V 17.8V 16V
1+
￥0.3801
200+
￥0.2457
1500+
￥0.2132
3000+
￥0.189
库存：
0
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3000
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1+
￥0.4547
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100
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3000
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3000
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封装：
SMD
分类：
瞬态抑制二极管(TVS)
描述：
SMBJ6.5A 瞬态抑制二极管(TVS) HXY MOSFET(华轩阳电子) SMD 53.6A 500uA 11.2V 7.22V 6.5V
1+
￥0.6237
200+
￥0.4022
1500+
￥0.3497
库存：
2524
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3000
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3000
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封装：
SOT-89-3L
描述：
HT7133S HXY MOSFET(华轩阳电子) SOT-89-3L 100mA 3uA20℃~+70℃ 固定 3.3V 正 1 30V
1+
￥0.4085
200+
￥0.2636
1500+
￥0.2289
3000+
￥0.2027
库存：
0
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最小起订量：
3000
增量：
3000
封装：
SOD-123
分类：
瞬态抑制二极管(TVS)
描述：
SMF6.5A 瞬态抑制二极管(TVS) HXY MOSFET(华轩阳电子) SOD-123 17.86A 250uA 11.2V 200W 7.22V 6.5V
1+
￥0.6563
200+
￥0.4232
1500+
￥0.3675
3000+
￥0.3255
库存：
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3000
增量：
3000
1+
￥0.9461
50+
￥0.7275
1000+
￥0.6059
库存：
0
近期成交订单:
0+
最小起订量：
1000
增量：
1000
封装：
SMA(DO-214AC)
分类：
瞬态抑制二极管(TVS)
描述：
SMAJ14CA 瞬态抑制二极管(TVS) HXY MOSFET(华轩阳电子) SMA(DO-214AC) 17.2A 5uA 23.2V 15.6V 14V
1+
￥0.588
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￥0.3927
2500+
￥0.3402
5000+
￥0.3045
库存：
9963
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5000
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封装：
PowerPAK1212-8
分类：
场效应管(MOSFET)
描述：
SIS413DN-T1-GE3 场效应管(MOSFET) HXY MOSFET(华轩阳电子) PowerPAK1212-8 30V 18A 3.7W;52W 9.4mΩ@10V,15A 2.5V@250uA P沟道 4.28nF@15V 110nC@10V55℃~+150℃@(Tj)
1+
￥2.457
100+
￥1.974
750+
￥1.7535
1500+
￥1.659
3000+
￥1.575
库存：
8426
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5000
增量：
5000
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封装：
SOT-23
分类：
场效应管(MOSFET)
描述：
SI2323CDS-T1-GE3 场效应管(MOSFET) HXY MOSFET(华轩阳电子) SOT-23 20V 6A 1.25W;2.5W 39mΩ@4.5V,4.6A 1V@250uA P沟道 1.09nF@10V 25nC@4.5V55℃~+150℃@(Tj)
1+
￥1.9425
100+
￥1.554
750+
￥1.386
1500+
￥1.302
3000+
￥1.2495
库存：
6045
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3000
增量：
3000
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封装：
SOT-23
分类：
场效应管(MOSFET)
描述：
SI2302CDS-T1-E3 场效应管(MOSFET) HXY MOSFET(华轩阳电子) SOT-23 20V 2.6A 57mΩ@4.5V,3.6A 710mW 850mV@250uA N沟道 5.5nC@4.5V55℃~+150℃@(Tj)
1+
￥0.7172
200+
￥0.4631
1500+
￥0.4022
3000+
￥0.356
库存：
0
近期成交订单:
0+
最小起订量：
3000
增量：
3000
封装：
SOT-23
分类：
场效应管(MOSFET)
描述：
SI2316DS-T1-E3 场效应管(MOSFET) HXY MOSFET(华轩阳电子) SOT-23 30V 2.9A 50mΩ@10V,3.4A 700mW 800mV@250uA N沟道 215pF@15V 7nC@10V55℃~+150℃@(Tj)
1+
￥0.8106
200+
￥0.5586
1500+
￥0.5082
3000+
￥0.4746
库存：
0
近期成交订单:
0+
最小起订量：
3000
增量：
3000
1+
￥0.6006
500+
￥0.4283
2500+
￥0.3896
5000+
￥0.3675
库存：
10000
近期成交订单:
0+
最小起订量：
5000
增量：
5000
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封装：
SOD-123FL
分类：
瞬态抑制二极管(TVS)
描述：
SMF6.0A 瞬态抑制二极管(TVS) HXY MOSFET(华轩阳电子) SOD-123FL 19.4A 400uA 10.3V 200W 1 7.37V 6V
1+
￥0.6101
200+
￥0.42
1500+
￥0.3822
库存：
2665
近期成交订单:
0+
最小起订量：
3000
增量：
3000
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封装：
SOT-23
分类：
场效应管(MOSFET)
描述：
SI2302DDS-T1-GE3 场效应管(MOSFET) HXY MOSFET(华轩阳电子) SOT-23 20V 2.9A 57mΩ@4.5V,3.6A 710mW 850mV@250uA N沟道 5.5nC@4.5V55℃~+150℃@(Tj)
1+
￥1.0122
200+
￥0.6993
1500+
￥0.6353
3000+
￥0.5931
库存：
26039
近期成交订单:
0+
最小起订量：
3000
增量：
3000
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封装：
SOP-8
分类：
场效应管(MOSFET)
描述：
SI4168DY-T1-GE3 场效应管(MOSFET) HXY MOSFET(华轩阳电子) SOP-8 30V 24A 2.5W;5.7W 5.7mΩ@10V,20A 3V@250uA N沟道 1.72nF@15V 44nC@10V55℃~+150℃@(Tj)
1+
￥3.549
100+
￥2.9505
1250+
￥2.6985
2500+
￥2.4885
库存：
0
近期成交订单:
0+
最小起订量：
3000
增量：
3000
封装：
SOP-8
分类：
场效应管(MOSFET)
描述：
SI4835DDY-T1-GE3 场效应管(MOSFET) HXY MOSFET(华轩阳电子) SOP-8 30V 13A 2.5W;5.6W 18mΩ@10V,10A 3V@250uA P沟道 1.96nF@15V 65nC@10V55℃~+150℃@(Tj)
1+
￥1.827
100+
￥1.407
1250+
￥1.218
2500+
￥1.155
库存：
14416
近期成交订单:
0+
最小起订量：
3000
增量：
3000
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封装：
SOT-23
分类：
场效应管(MOSFET)
描述：
SI2308BDS-T1-E3 场效应管(MOSFET) HXY MOSFET(华轩阳电子) SOT-23 60V 2.3A 1.09W;1.66W 156mΩ@10V,1.9A 3V@250uA N沟道 190pF@30V 6.8nC@10V55℃~+150℃@(Tj)
1+
￥1.4805
100+
￥1.1864
750+
￥1.0605
1500+
￥0.9965
3000+
￥0.9492
库存：
0
近期成交订单:
0+
最小起订量：
3000
增量：
3000
1+
￥1.8375
20+
￥1.3125
库存：
0
近期成交订单:
0+
最小起订量：
500
增量：
500
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正品保障
原厂代理直供 正品质量保证
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