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无锡紫光微
无锡紫光微电子有限公司是紫光集团旗下紫光国信微电子股份有限公司(“紫光国信”,股票代码:002049)半导体产业链核心企业之一,专注于先进半导体功率器件的研发和销售。公司依托紫光强大的资本平台,不断强化技术优势,以高性能的半导体功率器件产品和优质的服务成为工业客户值得信赖的合作伙伴。 公司团队由一批在知名半导体公司工作多年,具有丰富产品设计和管理经验的成员组成,不仅掌握了先进的产品开发和生产技术,而且具有丰富的半导体公司管理经验。公司研发生产的SJ mosfet、DT mosfet、HV VDMOS、igbt、igto、半桥栅驱动器及相关电源管理ic等先进半导体功率器件,广泛应用于节能、绿色照明、风力发电、智能电网、混合动力/电动汽车、仪器仪表、消费电子等领域。消费电子等领域。 公司将坚持“用我们的努力和优良的产品服务客户,造福社会”,本企业宗旨,将高水平的先进技术与中国市场相结合,打破国外公司对高压大功率器件在国内市场的垄断,力争成为技术先进、质量一流的功率半导体领域专业品牌供应商,为客户提供高性价比的电源管理集成电路产品。我们致力于成为功率半导体领域技术先进、品质一流的专业品牌供应商,为客户提供高性价比的产品和全面的服务。
型号/品牌
单价(含税价)
库存
数量
品牌:
无锡紫光微
封装:
SOT-23-3L
描述:
TTX2N7002KA 场效应管(MOSFET) 无锡紫光微 SOT-23-3L
1+
¥0.1262
200+
¥0.0993
600+
¥0.0839
3000+
¥0.075
9000+
¥0.0673
21000+
¥0.0628
39000+
¥0.0622
81000+
¥0.0609
库存:
15
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20
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品牌:
无锡紫光微
封装:
SOT-23(TO-236)
描述:
TTX2301A 场效应管(MOSFET) 无锡紫光微 SOT-23(TO-236) 20V 2.6A 54mΩ@10V,2.6A 890mW 700mV@250uA 51pF@10V P沟道 493pF@10V 4.2nC@10V55℃~+150℃@(Tj)
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¥0.2512
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¥0.1749
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6000+
¥0.1333
9000+
¥0.1262
库存:
1914
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10
增量:
10
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品牌:
无锡紫光微
封装:
TO-220
描述:
TTP95N68A 场效应管(MOSFET) 无锡紫光微 TO-220
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¥2.7554
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¥2.2037
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¥1.8955
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¥1.5956
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¥1.3925
库存:
160
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1
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1
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品牌:
无锡紫光微
封装:
TO-220
描述:
TTP88N08A 场效应管(MOSFET) 无锡紫光微 TO-220 82V 88A 7.4mΩ@10V,30A 174W 3V@250uA 241pF@40V N沟道 5.341nF@40V 100nC@10V55℃~+175℃@(Tj)
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库存:
6
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1
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1
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品牌:
无锡紫光微
封装:
TO-220
描述:
TTP85N08A 场效应管(MOSFET) 无锡紫光微 TO-220
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库存:
3
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1
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品牌:
无锡紫光微
封装:
TO-220
描述:
TTP115N68A 场效应管(MOSFET) 无锡紫光微 TO-220 68V 105A 5.4mΩ@10V,30A 158W 3V@250uA 282pF@30V N沟道 5.094nF@30V 87nC@10V55℃~+175℃@(Tj)
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20
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品牌:
无锡紫光微
封装:
TO-220
描述:
TTP115N08AA 场效应管(MOSFET) 无锡紫光微 TO-220 85V 105A 6.4mΩ@10V,30A 200W 3V@250uA 261pF@40V N沟道 6.65nF@40V 112nC@10V55℃~+175℃@(Tj)
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¥1.7891
库存:
2
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最小起订量:
1
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1
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品牌:
无锡紫光微
封装:
TO-220
描述:
TTP115N08A 场效应管(MOSFET) 无锡紫光微 TO-220 80V 115A 6.4mΩ@10V,20A 200W 3V@250uA 261pF@40V N沟道 6.65nF@40V 112nC@10V55℃~+175℃@(Tj)
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库存:
23
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品牌:
无锡紫光微
封装:
TO-220
描述:
TTP100N04AT 场效应管(MOSFET) 无锡紫光微 TO-220
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库存:
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品牌:
无锡紫光微
封装:
TO-252
描述:
TTD18P10AT 场效应管(MOSFET) 无锡紫光微 TO-252 100V 18A 80mΩ@10V,9A 113W 1.7V@250uA 53pF@50V P沟道 4.182nF@50V 70nC@10V55℃~+175℃@(Tj)
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库存:
2365
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5
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5
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品牌:
无锡紫光微
封装:
TO-252
描述:
TTD85N03AT 场效应管(MOSFET) 无锡紫光微 TO-252 30V 46A 3.6mΩ@10V,30A 65W 1.6V@250uA 253pF@15V N沟道 2.12nF@15V 40nC@10V55℃~+175℃@(Tj)
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5
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品牌:
无锡紫光微
封装:
TO-252
描述:
TTD120N04AT 场效应管(MOSFET) 无锡紫光微 TO-252
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库存:
416
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品牌:
无锡紫光微
封装:
TO-263-2
描述:
TTB85N08A 场效应管(MOSFET) 无锡紫光微 TO-263-2 85V 85A 8.4mΩ@10V,30A 160W 3V@250uA 204pF@40V N沟道 5.4nF@40V 92nC@10V55℃~+175℃@(Tj)
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库存:
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品牌:
无锡紫光微
封装:
TO-263-2
描述:
TTB135N68A 场效应管(MOSFET) 无锡紫光微 TO-263-2 68V 135A 4.2mΩ@10V,30A 160W 3V@250uA 396pF@30V N沟道 6.646nF@30V 114nC@10V55℃~+175℃@(Tj)
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6
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品牌:
无锡紫光微
封装:
TO-263-2
描述:
TTB145N06A 场效应管(MOSFET) 无锡紫光微 TO-263-2 60V 105A 3.8mΩ@10V,30A 217W 3V@250uA 461pF@30V N沟道 6.819nF@30V 125nC@10V55℃~+175℃@(Tj)
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1
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品牌:
无锡紫光微
封装:
TO-252
描述:
TSD12N06AT 场效应管(MOSFET) 无锡紫光微 TO-252
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1
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最小起订量:
1
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1
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品牌:
无锡紫光微
封装:
TO-263-2
描述:
TSB15N06A 场效应管(MOSFET) 无锡紫光微 TO-263-2
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7
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最小起订量:
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品牌:
无锡紫光微
封装:
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描述:
TPW65R135MFD 场效应管(MOSFET) 无锡紫光微 TO-247
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库存:
1
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最小起订量:
1
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1
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品牌:
无锡紫光微
封装:
TO-247
描述:
TPW65R044MFD 场效应管(MOSFET) 无锡紫光微 TO-247 650V 72A 39mΩ@10V,36A 500W 5V@250uA 13.2pF@100V N沟道 7.837nF@100V 165nC@10V55℃~+150℃@(Tj)
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库存:
16
近期成交订单: 0+单
最小起订量:
1
增量:
1
加入购物车
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品牌:
无锡紫光微
封装:
TO-247S
描述:
场效应管(MOSFET)
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库存:
8
近期成交订单: 0+单
最小起订量:
1
增量:
1
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