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品牌介绍
自1995年成立以来,高福德半导体已发展成为一家全球性公司,在美国、香港、澳大利亚、深圳和江苏设有办事处。 公司一直致力于功率mosfet产品的研发和销售。 戈福德专注于能源效率、机动性和可靠性,为市场提供具有成本效益的产品。
型号/品牌
单价(含税价)
库存
数量
品牌:
GOFORD
封装:
TO-220
描述:
9N40-220 场效应管(MOSFET) GOFORD TO-220 400V 9A 100W 607mΩ@10V,4.5A 4V@250uA N沟道
1+
¥0.9207
50+
¥0.6861
150+
¥0.6093
500+
¥0.5141
2000+
¥0.4719
4000+
¥0.4463
库存:
0
近期成交订单: 0+
最小起订量:
1
增量:
1
品牌:
GOFORD
封装:
SOT-23(TO-236)
描述:
电压基准芯片
1+
¥0.0895
500+
¥0.071
3000+
¥0.0569
6000+
¥0.0512
24000+
¥0.0454
51000+
¥0.0428
库存:
0
近期成交订单: 0+
最小起订量:
50
增量:
50
品牌:
GOFORD
封装:
SOT-23(TO-236)
描述:
电压基准芯片
1+
¥0.1093
500+
¥0.087
3000+
¥0.0716
6000+
¥0.0646
24000+
¥0.0582
51000+
¥0.0543
库存:
0
近期成交订单: 0+
最小起订量:
50
增量:
50
品牌:
GOFORD
封装:
TO-92-3
描述:
电压基准芯片
1+
¥0.1624
200+
¥0.1317
600+
¥0.1138
2000+
¥0.094
10000+
¥0.085
20000+
¥0.0799
库存:
0
近期成交订单: 0+
最小起订量:
20
增量:
20
品牌:
GOFORD
封装:
SOT-23(TO-236)
描述:
431C 电压基准芯片 GOFORD SOT-23(TO-236) 2.5V~40V 0℃~+150℃@(TJ) 0% 500uA 并联 270mΩ 50ppm/℃ 可编程
1+
¥0.1726
200+
¥0.1413
600+
¥0.1234
3000+
¥0.0978
9000+
¥0.0882
21000+
¥0.0838
库存:
2781
近期成交订单: 0+
最小起订量:
20
增量:
20
加入购物车
立即购买
品牌:
GOFORD
封装:
TO-92-3
描述:
电压基准芯片
1+
¥0.0965
500+
¥0.078
2000+
¥0.062
4000+
¥0.0563
24000+
¥0.0505
50000+
¥0.048
库存:
1093
近期成交订单: 0+
最小起订量:
50
增量:
50
加入购物车
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品牌:
GOFORD
封装:
TO-92-3
描述:
电压基准芯片
1+
¥0.0678
500+
¥0.0659
2000+
¥0.0588
库存:
609
近期成交订单: 0+
最小起订量:
50
增量:
50
加入购物车
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品牌:
GOFORD
封装:
TO-220
描述:
8070.0 场效应管(MOSFET) GOFORD TO-220 80V 88A 11mΩ@10V,40A 4V@250uA N沟道
1+
¥1.695
50+
¥1.314
150+
¥1.1695
500+
¥0.9892
2000+
¥0.9092
4000+
¥0.8606
库存:
23
近期成交订单: 0+
最小起订量:
1
增量:
1
加入购物车
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品牌:
GOFORD
封装:
TO-220
分类:
描述:
库存:
0
近期成交订单: 0+
最小起订量:
1
增量:
1
品牌:
GOFORD
封装:
SOT-23-6
描述:
场效应管(MOSFET)
库存:
0
近期成交订单: 0+
最小起订量:
1
增量:
1
品牌:
GOFORD
封装:
TO-251
分类:
描述:
库存:
0
近期成交订单: 0+
最小起订量:
1
增量:
1
品牌:
GOFORD
封装:
TO-252
描述:
18N10W 场效应管(MOSFET) GOFORD TO-252 100V 18A 50mΩ@10V,5A 47W 2.9V@250uA N沟道
1+
¥1.2328
10+
¥1.2072
30+
¥1.1906
100+
¥1.1733
库存:
0
近期成交订单: 0+
最小起订量:
1
增量:
1
品牌:
GOFORD
封装:
SOT-23-6
描述:
G2002A 场效应管(MOSFET) GOFORD SOT-23-6 200V 2A 580mΩ@10V,2A 3W 2.5V@250uA N沟道
1+
¥0.5556
10+
¥0.5435
30+
¥0.5352
100+
¥0.5275
库存:
0
近期成交订单: 0+
最小起订量:
1
增量:
1
品牌:
GOFORD
封装:
SOP-8
描述:
G10N10A 场效应管(MOSFET) GOFORD SOP-8 100V 10A 3.1W 104mΩ 1.6V@250uA N沟道
1+
¥2.2603
10+
¥2.211
30+
¥2.1816
100+
¥2.1516
库存:
0
近期成交订单: 0+
最小起订量:
1
增量:
1
品牌:
GOFORD
封装:
TO-220
描述:
场效应管(MOSFET)
1+
¥1.5595
10+
¥1.5192
30+
¥1.4994
100+
¥1.4693
库存:
70
近期成交订单: 0+
最小起订量:
1
增量:
1
加入购物车
立即购买
品牌:
GOFORD
封装:
TO-251
描述:
场效应管(MOSFET)
库存:
0
近期成交订单: 0+
最小起订量:
1
增量:
1
品牌:
GOFORD
封装:
TO-252
描述:
场效应管(MOSFET)
库存:
0
近期成交订单: 0+
最小起订量:
1
增量:
1
品牌:
GOFORD
封装:
SOP-8
描述:
场效应管(MOSFET)
库存:
0
近期成交订单: 0+
最小起订量:
1
增量:
1
品牌:
GOFORD
封装:
TO-252
描述:
场效应管(MOSFET)
库存:
0
近期成交订单: 0+
最小起订量:
1
增量:
1
品牌:
GOFORD
封装:
DFN-8
描述:
场效应管(MOSFET)
库存:
0
近期成交订单: 0+
最小起订量:
1
增量:
1
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