在LED驱动电源设计领域，不断追求更高性能和成本效益是行业发展的驱动力。士兰微电子以先进的高压MOS工艺平台为基础，以其卓越的稳定性和成熟制造工艺，成为LED照明驱动芯片内置MOS的首选。

士兰微电子LED照明驱动两级无频闪隔离降本增效方案推荐，LED驱动照明带来的40W(40V/1A)两级新方案：SDH7523S+SD7863DL。

经过芯片和电源方案的进一步优化，结合士兰的硅材料MOS，最新方案将带来如下更佳的提升和体验：

* 整机和变压器体积下降10%-30%；

* 整机工作效率提升≥0.3%；

* 输出超宽范围，输出恒流负载特性优异≤2%；

* 经济效益提升，方案成本下降≥￥1(变压器/PCB/整机外壳/输出电解等)；

* 相比氮化镓材料，硅材料多外延工艺MOS更成熟稳定。

后级反激PSR恒流控制器-SD786XDL系列内置Si-MOS（硅材料MOSFET），在搭配前级APFC升压电路，其MOS的导通损耗占比很小，且IC也工作在BCM临界导通模式，极大的降低MOS的开关损耗，针对此点，我们重新优化电源设计、提高整机的工作开关频率，极大限度发挥传统Si-MOS在LED驱动电源的应用水平。

传统Si-MOS的成熟稳定，可保证LED驱动产品的更加可靠。士兰微电子将不断结合自身的工艺平台特点，发挥IDM模式的优势，为客户带来成熟稳定且具有成本优势的解决方案。