GD兆易创新的研发实力在半导体及电子元件行业中具有显著的优势，主要体现在以下几个方面：

1. 研发投入与占比：兆易创新在研发上的投入非常可观，2022年公司的研发投入达到了10.29亿元，占营业收入的比例为12.66%，且这一比例相比2021年还有所增加，显示出公司对研发的重视和持续投入的决心。
2. 研发成果与产品线：兆易创新在多个技术领域都取得了显著的研发成果，公司成功量产了180nm串行NOR Flash，推出了业界第一颗SPI NAND Flash，并联合其他企业开展工艺制程19nm的12英寸DRAM项目，发布了首款自有品牌DRAM产品。公司还不断完善产品结构，形成了“存储+控制+传感”的三大业务线。
3. 研发团队与管理层：公司核心管理层在半导体行业内从业多年，具有丰富的半导体产业链经验积累，且产业背景深厚，具备良好的国际化视野。公司董事长朱一明及其他管理层成员均毕业于清华大学，研发经验深厚，能引领公司走在行业技术水平前沿。
4. 研发创新与突破：兆易创新在多个领域都实现了技术创新和突破，例如，公司在光学指纹传感器上积极优化产品，是国内全行业最早拥有指纹全类别产品的公司。此外，公司在超声方向上的研究进展顺利，在研的超声波产品能实现指纹识别、心率检测、血压检测等功能。

凭其研发实力和研发技术，GD兆易创新在存储芯片、微控制器和传感器等研发领域取得了丰硕的成果，为公司的产品竞争力和市场地位提供了有力支持。以下是一些主要的研发成果：

1. 专利授权：兆易创新获得了多项专利授权，涵盖了闪存存储器、嵌入式系统、数据写入方法和装置等领域。这些专利技术有助于提高产品的性能和稳定性。
2. NOR Flash：公司量产了180nm串行NOR Flash，推出了业界第一颗SPI NAND Flash，并在NOR产品上覆盖512K-2GB，针对不同应用市场需求提供多个系列产品。
3. NAND Flash：兆易创新的38nm SLC制程产品已稳定量产，24nm制程产品进程完善了中小容量NAND Flash产品系列及相应eMMC解决方案。其SLC NAND Flash产品已实现消费电子、工业、汽车电子等领域的全品类覆盖。
4. DRAM：公司研发了1Xnm级的DRAM技术，并推出自有品牌利基型DRAM产品DDR3L、DDR4，主要面向消费类、工业控制类及车规等市场。与合肥长鑫的合作保障了DRAM业务的产能稳定。
5. MCU：公司推出了国内首款基于Arm Cortex-M7内核的GD32H系列超高性能微控制器。其MCU产品累计出货超过3亿颗，拥有330余个产品型号、23个产品系列及11种不同封装类型。
6. 传感器：兆易创新在光学指纹传感器上积极优化产品，是国内全行业最早拥有指纹全类别产品的公司。此外，公司在超声方向上的研究进展顺利，在研的超声波产品能实现指纹识别、心率检测、血压检测等功能。