深圳辰达半导体有限公司成立于 2008 年 3 月，是一家专业从事半导体分立器件研发、生产、销售和技术支持的制造商。其产品线丰富，涵盖 MOSFET、二极管、三极管、整流桥、SiC 等全系列产品，具体包括：

1. 二极管：有普通整流、快速恢复、高效率、超快速、肖特基等各种系列的二极管。例如，MDD 高效率二极管 HER207，VR=800V，IF=2A，20pF，Trr=70ns，封装为 DO-15；
2. 整流桥；
3. 小信号器件；
4. 保护器件：如静电二极管、瞬态抑制二极管（TVS 管）等；
5. MOSFET：包括超高压 MOS 系列等，例如在电焊机的应用中，220V 输入前提下的单相逆变电路，可采用新型的横向变掺杂技术、专有的功率 MOS 结构且高温特性优良的高压 MOS 系列；输入电压变为三相 380V AC 后，可使用损耗低、稳定性强、具有更好的 EMI 兼容性且耐高压、大电流、可完全实现进口替代的超高压 MOS 系列，也可选用 1200V 以上的碳化硅 MOS 系列来做开关管；
6. SiC：公司成功量产 650V、1200V 、1700V（国内领先）等产品，具有有竞争力的 RDS(ON)。

辰达半导体的产品广泛应用于新能源汽车、工业控制、消费电子、通信、家电、医疗、照明、安防、仪器仪表等多个领域。其产品线具有以下一些竞争优势：

1. 全系列产品服务矩阵：涵盖 MOSFET、二极管、三极管、整流桥、SiC 等，能够满足新能源汽车、工业控制、消费电子、通信、家电、医疗、照明、安防、仪器仪表等多个领域的需求，为客户提供一站式产品解决方案。
2. 先进的功率器件设计及封装测试能力：可以全面推动产品升级迭代，例如推出“高功率、小体积、低功耗”的产品。其 TO 系列 MOS 管、SiC、快恢复、肖特基等分立器件拥有优秀的散热能力，能保证器件在安全温度范围内工作，延长使用寿命并确保产品可靠性。
3. 技术创新：注重技术研发，申请各类专利证书超 100 项，构建了企业自主知识产权体系。例如，在碳化硅（SiC）产品方面，成功量产 650V、1200V、1700V（国内领先）等产品，且具有有竞争力的 RDS(ON)，与 1 代产品相比，RDS(ON)减小 20%，与 2 代产品相比更具竞争力。
4. 性能优良：超高压 MOS 系列具有损耗低、稳定性强、更好的 EMI 兼容性、耐高压大电流等特点，可完全实现进口替代；SiC MOS 器件因在高效能、高频率和高温性能方面的独特优势，可提高开关频率到 100kHz 以上，应用于逆变焊机时动态性能更好、效率更高、更小巧轻便。
5. 良好的市场口碑：公司产品畅销全球 40 多个国家和地区，累计超 20000 家客户选择，已成为半导体分立器件制造及解决方案提供商和受客户认可的品牌之一。其先后荣获“国家高新技术企业”“深圳专精特新企业”“深圳知名品牌”“湾区知名品牌”等称号。