兆易创新拥有多款 NOR Flash 芯片，以下是一些常见的型号及其参数：

1. GD25Q128ESIG：

• 品牌：GD（兆易）
• 封装：SOP-8
• 存储容量：128M
• 批号：20+

1. GD25UF 系列：这是一款突破性的 1.2V 超低功耗 SPI NOR Flash 产品系列。

• 工作电压可扩展至 1.14V - 1.6V，具有单通道、双通道、四通道和 DTR 四通道的 SPI 模式，支持不同容量选择。
• 最高时钟频率 STR 可达 120MHz，DTR 为 60MHz，拥有 10 万次的擦写寿命，数据有效保存期限可达 20 年。
• 具有 128bit UNIQUE ID 来实现加密效果，提供高安全保障。
• 提供 Normal Mode 和 Low Power Mode 两种工作模式。在 Normal Mode 下，器件读取电流在四通道 120MHz 的频率下低至 6mA；在 Low Power Mode 下，器件读取电流在四通道 1MHz 频率下低至 0.5mA，擦写电流低至 7mA，睡眠功耗低至 0.1uA。相较于 1.8V 供电的 SPI NOR Flash，该系列在 Normal Mode 下，相同电流情况下的功耗降低了 33%，而在 Low Power Mode 下，相同频率下的功耗降低了 70%，能有效延长设备的续航时间。
• 支持 SOP8、WSON8、USON8、WLCSP 等封装，全温度工作范围覆盖-40℃ - 85℃、-40℃ - 105℃、-40℃ - 125℃。

1. GD25LE128EXH：采用 3mm×3mm×0.4mm FO-USON8 封装，最大厚度仅 0.4mm，容量达 128Mb，是目前业界在此容量上能实现的最小塑封封装产品。该产品延续了 LE 系列的性能，最高时钟频率 133MHz，数据吞吐量达 532Mbit/s，提升了系统访问速度和开机效率；在 4 通道 133MHz 时，读功耗仅为 6mA，与同类产品相比功耗降低了 45%。与 64Mb 及以下容量的 3mm×4mm×0.6mm USON8 封装产品引脚兼容，同系列 3mm×2mm×0.4mm FO-USON8 封装产品 GD25LE64E 已于 5 月底提供样片。
2. GD25Q16CSIG：

• 品牌：GD
• 存储器类型：串行闪存
• 存储容量：16M 位，即 2048k 字节
• 每个可编程页：256 字节

兆易创新的 NOR Flash 芯片具备多种特点，例如提供多种容量选择以满足不同需求；具有不同的电压范围，包括低电压系列，可适应不同的电源环境；提供多种封装选项，以满足不同应用场景对尺寸和引脚的要求；在读写性能、功耗控制、数据保存期限等方面也都有较好的表现，能为各种电子设备提供可靠的存储解决方案。同时，兆易创新也在不断研发和推出新的产品，以适应市场的变化和技术的发展。