旺宏电子是存储芯片领域的重要厂商，其存储芯片的发展呈现出以下一些趋势：

1. 制程微缩：在 NOR 闪存技术方面，传统的浮栅技术已达到制程微缩的极限，后续可能会采用如 charge-trapping 技术。旺宏电子所研发的 be-sonos 就是此类技术的代表。此外，旺宏与 IBM 共同研发的相变化内存，证实了相变化可发生于 20 纳米尺寸以下的相变化组件，这为未来的半导体技术发展提供了重要验证。
2. 细胞多位化：通过多位技术，使单一储存细胞能够放入更多的位，包括 MLC、3LC 与 4LC 等技术，以提高存储密度。
3. 架构向 3D 转变：储存架构从目前的 2D 逐渐向 3D 发展。旺宏电子曾在国际电子组件大会 IEDM 上发表针对薄膜晶体管作为未来发展 3D 内存可行性的研究成果。
4. 应用市场需求增长：NOR 闪存的一些热点应用领域呈现出增长态势，为其带来新的市场机遇。例如，超低价手机应用因价格竞争力及实用性，成长动力依然可期；HDTV 与 HDSTB 随着家电下乡的续航力与互联网电视的火爆，需求持续增长；WIMAX/LTE4G 被预测为新的增长点；全球景气复苏也将掀起 PC/Notebook 的换机潮；而游戏机、玩具与电子书等领域也有望为 NOR 闪存带来新的市场需求。
5. 满足热点应用的新要求：一是利用串行闪存的低接脚特征取代并行闪存，以简化系统主芯片对应脚数需求和 PCB 的布局布线，降低系统整体成本；二是串行闪存取代并行闪存时，需维持系统操作速度在原有水平；三是提高储存容量，例如 WIMAX 与 HDSTB 等对 NOR 闪存的需求已开始走向 64MB 以上甚至到 256MB。
6. 价格趋势：根据机构调研消息，旺宏的 NOR flash 芯片于 2024 年第二季度开始涨价，这表明存储芯片行业进入上行周期的趋势更加确定。此前，主流存储芯片 NAND 和 DRAM 的库存得到有效控制，价格已开始回升。

总体而言，旺宏电子在技术研发上持续投入，不断推进制程微缩、细胞多位化和架构 3D 化等技术发展，以满足热点应用领域不断增长的需求。同时，市场价格的回升也显示出存储芯片行业的积极态势。然而，存储芯片行业受到多种因素的影响，如市场供需关系、技术创新、行业竞争以及宏观经济环境等，未来的发展仍存在一定的不确定性。旺宏电子需要密切关注市场动态，持续创新，以保持在存储芯片领域的竞争力。