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场效应管(MOSFET)

共计: 48621 件商品
型号/品牌
单价(含税价)
库存
数量
品牌:
NCE POWER
封装:
TO-252
描述:
NCE01P18K 场效应管(MOSFET) NCE POWER TO-252 100V 18A 100mΩ@10V,16A 70W 3V@250uA P沟道
1+
¥1.48
100+
¥1.1399
1250+
¥0.967
库存:
2353
近期成交订单: 0+
最小起订量:
5
增量:
5
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品牌:
DIODES
封装:
SOT-23
描述:
ZXMN3A14FTA 场效应管(MOSFET) DIODES SOT-23 30V 3.2A 65mΩ@10V,3.2A 1W 1V@250uA N沟道 448pF@15V 8.6nC@10V55℃~+150℃@(Tj)
1+
¥1.54
100+
¥1.23
750+
¥1.1
1500+
¥1.04
库存:
1698
近期成交订单: 0+
最小起订量:
1
增量:
1
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品牌:
安世
封装:
LFPAK-33-8
描述:
PSMN013-30MLC,115 场效应管(MOSFET) 安世 LFPAK-33-8
1+
¥1.98
100+
¥1.64
库存:
250
近期成交订单: 0+
最小起订量:
1
增量:
1
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品牌:
安世
封装:
SOT-669
描述:
BUK9Y12-100E,115 场效应管(MOSFET) 安世 SOT-669 100V 85A 9.5mΩ@5V,25A 238W 1.7V@1mA 214pF@25V N沟道 5.98nF@25V 64nC@5V55℃~+175℃@(Tj)
1+
¥7.51
100+
¥6.47
750+
¥6.17
1500+
¥5.88
库存:
1626
近期成交订单: 0+
最小起订量:
1
增量:
1
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品牌:
WILLSEMI
封装:
DFN-3(0.6x1)
描述:
WNM2072-3/TR 场效应管(MOSFET) WILLSEMI DFN-3(0.6x1) 20V 660mA 220mΩ@4.5V,550mA 270mW 580mV@250uA 8.3pF@10V N沟道 50.6pF@10V 870pC@4.5V +150℃@(Tj)
1+
¥0.52
500+
¥0.1729
5000+
¥0.115
10000+
¥0.0825
库存:
0
近期成交订单: 0+
最小起订量:
20
增量:
20
品牌:
NCE POWER
封装:
TO-220-3
描述:
场效应管(MOSFET)
1+
¥4.27
100+
¥3.41
1000+
¥3.16
库存:
0
近期成交订单: 0+
最小起订量:
1
增量:
1
品牌:
ST
封装:
TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)
描述:
场效应管(MOSFET)
1+
¥3.04
100+
¥2.34
1000+
¥2.0299
2000+
¥1.92
库存:
0
近期成交订单: 0+
最小起订量:
1
增量:
1
品牌:
ROHM
封装:
HUML2020L8
描述:
RF4E075ATTCR 场效应管(MOSFET) ROHM HUML2020L8 30V 7.5A 21.7mΩ@7.5A,10V 2W 2.5V@1mA P沟道 1nF@15V 22nC@10V
1+
¥0.753
200+
¥0.519
1500+
¥0.471
3000+
¥0.441
库存:
0
近期成交订单: 0+
最小起订量:
1
增量:
1
品牌:
NCE POWER
封装:
TO-252-4
描述:
NCE30D2519K 场效应管(MOSFET) NCE POWER TO-252-4 30V 8.5mΩ@10V,7A 21W 2V@250uA 90pF@15V 1个N沟道和1个P沟道 450pF@15V 9.5nC@10V55℃~+175℃@(Tj)
1+
¥1.36
100+
¥1.04
1250+
¥0.885
库存:
1678
近期成交订单: 0+
最小起订量:
5
增量:
5
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品牌:
英飞凌
封装:
TO-252
描述:
IPD60R650CEAUMA1 场效应管(MOSFET) 英飞凌 TO-252 600V 9.9A 650mΩ@2.4A,10V 82W 3.5V@200uA N沟道 440pF@100V 20.5nC@10V40℃~+150℃@(Tj)
1+
¥3.33
100+
¥2.57
1250+
¥2.23
库存:
1374
近期成交订单: 0+
最小起订量:
1
增量:
1
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品牌:
英飞凌
封装:
SOT-23-3-5
描述:
BSS139H6906XTSA1 场效应管(MOSFET) 英飞凌 SOT-23-3-5 250V 100mA 360mW 14Ω@100mA,10V 1V@56uA N沟道 76pF@25V 3.5nC@5V55℃~+150℃@(Tj)
1+
¥2.46
100+
¥1.98
750+
¥1.76
1500+
¥1.66
3000+
¥1.58
库存:
0
近期成交订单: 0+
最小起订量:
1
增量:
1
封装:
PQFN-8(3.1x3.1)
描述:
IRLHM630TRPBF 场效应管(MOSFET) Infineon(英飞凌) PQFN-8(3.1x3.1) 30V 21A 2.7W 3.5mΩ@4.5V,20A 1.1V@50uA N沟道
1+
¥3.34
100+
¥2.68
1000+
¥2.4
2000+
¥2.2599
4000+
¥2.15
库存:
7705
近期成交订单: 0+
最小起订量:
1
增量:
1
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品牌:
安世
封装:
DFN-3(0.6x1)
描述:
BSS84AKM,315 场效应管(MOSFET) 安世 DFN-3(0.6x1) 50V 230mA 4.5Ω@10V,100mA 340mW;2.7W 1.6V@250uA 1.3pF@25V P沟道 24pF@25V 260pC@5V55℃~+150℃@(Tj)
1+
¥0.436
库存:
3
近期成交订单: 0+
最小起订量:
5
增量:
5
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品牌:
ST
封装:
TO-247
描述:
STW15NK50Z 场效应管(MOSFET) ST TO-247 500V 14A 160W 340mΩ@7A,10V 4.5V@100uA N沟道 2.26nF@25V 106nC@10V50℃~+150℃@(Tj)
1+
¥13.89
10+
¥11.57
600+
¥11.02
库存:
0
近期成交订单: 46+
最小起订量:
1
增量:
1
品牌:
英飞凌
封装:
TO-251-3
描述:
IPS70R360P7SAKMA1 场效应管(MOSFET) 英飞凌 TO-251-3 700V 12.5A 59.5W 360mΩ@3A,10V 3.5V@150uA N沟道 517pF@400V 16.4nC@10V40℃~+150℃@(Tj)
1+
¥4.64
100+
¥3.86
750+
¥3.51
1500+
¥3.25
库存:
1500
近期成交订单: 0+
最小起订量:
1
增量:
1
加入购物车
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品牌:
NCE POWER
封装:
DFN-8(5x6)
描述:
场效应管(MOSFET)
1+
¥1.58
100+
¥1.55
5000+
¥1.53
库存:
14700
近期成交订单: 0+
最小起订量:
1
增量:
1
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品牌:
英飞凌
封装:
TO-252
描述:
IPD70R1K4P7SAUMA1 场效应管(MOSFET) 英飞凌 TO-252 700V 4A 1.4Ω@700mA,10V 23W 3.5V@40uA N沟道 158pF@400V 4.7nC@10V40℃~+150℃@(Tj)
1+
¥2.14
100+
¥1.65
1250+
¥1.44
库存:
2114
近期成交订单: 0+
最小起订量:
1
增量:
1
加入购物车
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封装:
SOT-23(TO-236)
描述:
PMV16XNR 场效应管(MOSFET) HXY MOSFET(华轩阳电子) SOT-23(TO-236) 20V 6.8A 510mW;6.94W 20mΩ@4.5V,6.8A 900mV@250uA N沟道 1.24nF@10V 20.2nC@4.5V55℃~+150℃@(Tj)
1+
¥0.8957
200+
¥0.6185
库存:
1056
近期成交订单: 16+
最小起订量:
3000
增量:
3000
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封装:
TO-247
描述:
STW30N65M5 场效应管(MOSFET) ISC(无锡固电) TO-247 650V 22A 140W 139mΩ@11A,10V 5V@250uA N沟道 2.88nF@100V 64nC@10V
1+
¥89.8905
10+
¥81.7109
600+
¥78.5715
库存:
0
近期成交订单: 0+
最小起订量:
5
增量:
5
品牌:
NCE POWER
封装:
TO-220
描述:
场效应管(MOSFET)
1+
¥3.4
50+
¥2.62
1000+
¥2.18
库存:
0
近期成交订单: 0+
最小起订量:
1
增量:
1
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